本文摘要：电子器件工程网前不久在美国加州的圣克拉拉举行的存储器高峰会（FlashMemorySummit）上，镁光公布了她们的第一款三维NAND存储器芯片。这类存储器芯片不在变化规格的状况下会获得更强的储存室内空间。 据PCWorld报道，镁光这款三维存储器芯片的容量为32GB，其市场定位为中高档的智能手机。该商品根据新的UFS2.1规范，目前市面上的智能手机皆仍未用以这类理论上变慢的储存协议书。

电子器件工程网前不久在美国加州的圣克拉拉举行的存储器高峰会（FlashMemorySummit）上，镁光公布了她们的第一款三维NAND存储器芯片。这类存储器芯片不在变化规格的状况下会获得更强的储存室内空间。

　　据PCWorld报道，镁光这款三维存储器芯片的容量为32GB，其市场定位为中高档的智能手机。该商品根据新的UFS2.1规范，目前市面上的智能手机皆仍未用以这类理论上变慢的储存协议书。　　镁光强调智能手机对运行内存容量的市场的需求更为低，虚拟现实技术运用于和流媒体服务器都将闲置不用很多的储存室内空间。

她们答复，在两年以内智能手机的运行内存容量很有可能会超出现如今PC的水准，从总体上，大概在今年就不容易认清1TB。但是，这个企业未透露自己作为挪动机器三维存储器芯片的发展趋势路线地图。

　　与传统式的3DNAND水准离子键储存模块各有不同，三维NAND用以横着的方法离子键储存模块，这类方法既能具有高些的容量，又能让芯片间的通信变快。　　三维NAND存储器芯片技术性并不是镁光与众不同，intel和三星都早就在SSD上运用于了这类技术性，涉及到商品的容量只不容易更为大。

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